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產(chǎn)品頻道 富士電機(jī)株式會(huì)社（東京都品川區(qū)、代表取締役社長(zhǎng)：北澤通宏）推出業(yè)內(nèi)最高水平的低損耗MOSFET“Super J-MOS系列”產(chǎn)品。
1．上市目的
如今，人們對(duì)地球環(huán)境越來越關(guān)心，在不斷清潔化的IT領(lǐng)域及新能源等領(lǐng)域中，可實(shí)現(xiàn)高效電力變換的功率半導(dǎo)體受到廣泛矚目。
其中，MOSFET注1作為電力轉(zhuǎn)換過程所使用的主要裝置，對(duì)其降低損耗的要求越來越高。
此次，富士電機(jī)推出的Super J-MOS系列產(chǎn)品，采用具有新開發(fā)的低通態(tài)電阻特性的SJ結(jié)構(gòu)注2，可大幅度地降低損耗。
據(jù)此，可通過提高設(shè)備的電力變換效率減少耗電，為實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)作貢獻(xiàn)。
2．產(chǎn)品特點(diǎn)
? 降低通態(tài)電阻70％注3，達(dá)到業(yè)內(nèi)最高水平的低損耗。
? 結(jié)合最新降低開關(guān)損耗的技術(shù)，使元器件總損耗降低14％注4。
3．主要規(guī)格（代表機(jī)型）
4．主要用途
?服務(wù)器、不間斷電源、播放設(shè)備等信息通信設(shè)備；
?面向太陽(yáng)能電力調(diào)節(jié)器等新能源領(lǐng)域的電力變換裝置等。
5．詢問處
富士電機(jī)株式會(huì)社 營(yíng)業(yè)本部 電力電子設(shè)備統(tǒng)括本部 第3統(tǒng)括部 營(yíng)業(yè)第1部
?03-5435-7256
注1 MOSFET：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。
注2 SJ結(jié)構(gòu)：電荷非平衡Superjunction結(jié)構(gòu)
其特點(diǎn)是，由于是使MOSFET的耐壓層的p區(qū)和n區(qū)交互存在的結(jié)構(gòu)，可使n區(qū)的雜質(zhì)濃度提高，所以可大幅度降低阻值。
以往面狀結(jié)構(gòu)的MOSFET，由于是通過向高阻抗的n層延展電絕緣區(qū)（過流層）來確保耐壓水平的，因此通態(tài)電阻無法降至一定值以下。
而SJ結(jié)構(gòu)，是通過在n區(qū)形成p區(qū)，這既可以在縱向又可在橫向延展過流層，因此，即使n層阻抗下降，依然可以確保耐壓水平。據(jù)此，可實(shí)現(xiàn)超過以往面狀結(jié)構(gòu)理論極限的低通態(tài)電阻。
注3、4 與本公司以往產(chǎn)品相比
北京市公安局海淀分局備案號(hào)：11010802023656號(hào)