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資訊頻道2月17日消息，據杭州日報報導，由昕原半導體(杭州)有限公司(以下稱“昕原半導體”)主導建設的國內首條28/22nmReRAM（阻變存儲器）12英寸中試生產線順利完成了自主研發設備的裝機驗收工作，實現了中試線工藝流程的通線，并成功流片（試生產）。
目前，全球主流的新型存儲器技術主要有PCM(相變存儲器)、FeRAM(鐵電存儲器)、MRAM(磁性存儲器)及ReRAM(阻變存儲器)。相較于其他幾項新型存儲器技術而言，ReRAM的材料需求種類和額外的光罩數量更少，可以實現更低的生產成本。同時，業界普遍認為ReRAM能夠充分滿足神經形態計算和邊緣計算等應用對能耗、性能和存儲密度的要求，預期將在AIoT、智能汽車、數據中心、AI計算(存算一體)等領域獲得廣泛的運用。
“我們從密度、能效比、成本、工藝制程和良率各方面綜合衡量，非常看好ReRAM存儲器的技術及商業發展前景，所以把它作為我們的研發重點！”昕原半導體相關負責人表示。
新型存儲器的核心，是在其開發中需要在傳統CMOS工藝里增加一些特殊的材料或工藝，這些特殊材料或工藝的開發則需要經過大量實驗及測試驗證。
傳統CMOS代工廠或因囿于資源所限，迭代速度較慢，從而影響工藝開發進度，而國內各大科研院所雖可在實驗室階段加快迭代速度，但沒有標準的12英寸量產產線，實驗成果往往很難走向量產。
昕原自行搭建的28/22nm ReRAM(阻變存儲器)12英寸中試生產線就解決了上述問題。汲取了代工廠和實驗室的長處，迭代速度快，產線靈活，擁有自主可控的知識產權，使得ReRAM相關產品的快速實現變成了可能。
“作為大陸首條28/22nm ReRAM 12英寸中試生產線，我們產線的順利導通并完成產品的驗證和實現量產，將極大帶動我國新型存儲行業發展。”昕原半導體相關負責人表示，“而在這一領域，目前國內外差距較小，壁壘尚未形成，為我國存儲器產業實現“彎道超車”提供了可能。”
存儲芯片中除了NAND閃存及DRAM內存之外，還有多種技術選擇，ReRAM(非易失性阻變式存儲器)就是其中一種，其寫入壽命可達100萬次，此前主要是生產難度大，現在杭州昕原半導體主導建設了國內首條28/22nm ReRAM 12英寸中試生產線。
傳統CMOS代工廠或因囿于資源所限，迭代速度較慢，從而影響工藝開發進度，而國內各大科研院所雖可在實驗室階段加快迭代速度，但沒有標準的12寸量產產線，實驗成果往往很難走向量產。
昕原自行搭建的28/22nm ReRAM（阻變存儲器）12英寸中試生產線就解決了上述問題。汲取了代工廠和實驗室的長處，迭代速度快， 產線靈活，擁有自主可控的知識產權，使得ReRAM相關產品的快速實現變成了可能。
“作為大陸首條28/22nm ReRAM 12英寸中試生產線，我們產線的順利導通并完成產品的驗證和實現量產，將極大帶動我國新型存儲行業發展。”
昕原半導體相關負責人表示，“而在這一領域，目前國內外差距較小，壁壘尚未形成，為我國存儲器產業實現‘彎道超車’提供了可能。”
來源：微電子制造
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