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資訊頻道可輕松提高光輸出功率是因為利用了GaN晶體的“非極性面”，并且抑制了晶體缺陷。此次開發品使用的藍色LED芯片是在三菱化學制造的GaN基板的非極性面上、生長出GaN類半導體晶體而成。
普通的藍色LED芯片是使GaN類半導體在藍寶石基板上生長而成的，此時利用的是GaN晶體的c面（極性面）。
非極性面是與極性面垂直的面。以極性面為生長面時會產生壓電電場，使注入發光層的電子與空穴分離，導致促成發光的再結合概率降低。而以非極面為生長面則不易受到壓電電場的影響，因此可輕松提高發光效率。
此次開發品的晶體缺陷最少時僅為1×104cm-2。普通的藍色LED芯片由于藍寶石基板與藍寶石基板上的GaN類半導體的晶格常數有很大差異，因此晶體缺陷密度達到5×108cm-2。
憑借上述手段，開發品即使在高電流密度下，光輸出功率也不易降低，從而提高了單個白色LED的光輸出功率。今后的目標是通過1mm見方的藍色LED芯片與熒光體的組合，實現1000lm的光通量。
首爾半導體還在展區介紹稱，該公司正在開發利用GaN晶體非極性面的紫外LED芯片。將紫外LED芯片與紅、綠、藍色熒光材料組合后，便可輕松實現顯色性高的照明及色彩表現范圍大的液晶面板用背照燈。不過，紫外LED目前還存在發光效率比藍色LED低的課題。因此，該公司打算利用非極性面來實現高發光效率的紫外LED。
北京市公安局海淀分局備案號：11010802023656號