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美國加州圣克拉拉，2007年5月22日 英特爾公司今天宣布，從其45納米高-k金屬柵極處理器全部產品系列開始，英特爾下一代的處理器將實現(xiàn)百分之百的無鉛化。英特爾45納米高-k產品系列包括下一代英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核以及英特爾®至強®處理器。采用最新45納米高-k技術的處理器將于2007年下半年開始投產。
英特爾公司技術與制造事業(yè)部副總裁兼封裝測試技術發(fā)展總監(jiān)Nasser Grayeli指出：從淘汰鉛的使用、致力于提高我們產品的能效，到降低空氣排放和提高水及其他材料的循環(huán)利用，英特爾正積極地朝著環(huán)境可持續(xù)發(fā)展的目標邁進。
即將投產的英特爾45納米高-k柵介質+金屬柵極處理器系列將采用新的封裝技術。該技術將使用銅質凸焊點（bump）和一種錫/銀/銅的合金（如圖所示）來替換掉原來的錫/鉛合金焊料，這些焊料起著連接芯片（silicon die）到封裝底層的作用。
北京市公安局海淀分局備案號：11010802023656號