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2007年3月21日，在上海新國際展覽中心舉行的第六屆慕尼黑電子展上，賽米控再次給我們帶來了驚喜，推出了全新的SEMiSTART模塊，將使軟啟動設(shè)備的體積縮小六倍。
去年11月在德國紐倫堡一款來自賽米控的新型反并聯(lián)可控硅模塊（W1C 開關(guān)）SEMiSTART問世。這款專為軟啟動設(shè)備設(shè)計的反并聯(lián)非絕緣型可控硅模塊，其主要優(yōu)點在于緊湊的結(jié)構(gòu)。該模塊被設(shè)計用于過載情況，它有三種不同的尺寸和五種不同的電流等級，尺寸最小的模塊可承受560A的過載電流，最大的則能夠承受最高3000A的過載電流長達20秒（在啟動階段），最大阻斷電壓為1400V 和1800V。
由于采用了壓接和雙面芯片冷卻技術(shù)，新模塊能夠承受電流高達3000A、時間長達20秒的過載能力。與采用傳統(tǒng)的平板可控硅的設(shè)計不同，全新的SEMiSTART模塊中的可控硅芯片是采用壓接技術(shù)直接壓在兩個散熱器之間。通過使用優(yōu)化過的芯片冷卻技術(shù)，從而可以實現(xiàn)結(jié)構(gòu)高度緊湊且穩(wěn)健可靠的系統(tǒng)。此外，散熱器除用于散熱還作為電氣連接器。一個采用全新的SEMiSTART模塊的400KW軟啟動器的尺寸只相當于采用傳統(tǒng)的平板可控硅裝置的六分之一。來自塞米控的產(chǎn)品工程師說：“使用SEMiSTART模塊，軟啟動器的結(jié)構(gòu)可以更為緊湊，從而帶來更高的性價比。”
由于可控硅芯片被直接壓置在散熱器之間，所以這些模塊擁有更少的熱電阻Rth(j-s) 。總體上，新模塊的接觸層很少，這意味著與傳統(tǒng)方案相比新模塊的熱阻更小，舉例來說，這種新模塊的總熱阻只相當于傳統(tǒng)方案中平板可控硅和散熱器之間的熱接觸熱阻的一半多，這主要是由于新模塊中去掉了阻礙熱量從芯片向散熱器傳輸?shù)碾姎饨^緣物質(zhì)。
SEMiSTART 模塊安裝便利，不需要諸如安裝平板可控硅所需的安裝夾具以及在半導體模塊中所需的導熱硅脂。
該系列新產(chǎn)品符合歐盟RoHS和WEEE指令的規(guī)定。
賽米控作一直為功率模塊市場的領(lǐng)導者，是用戶們心中的一個響亮的品牌、完美的標準。通過此次研討會的開展，讓用戶更了解塞米控的發(fā)展?jié)摿Γ鋵嵙ψC明用戶的選擇是正確的！
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