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功率變換系統(tǒng)中電流傳感器小型化趨勢(shì)
現(xiàn)代的功率變換系統(tǒng)與比前一代比,必須更高效、小巧和便宜。為此,全球電量傳感器領(lǐng)域的先導(dǎo)者瑞士萊姆公司利用多年的豐富經(jīng)驗(yàn)開(kāi)發(fā)了單芯片封裝的傳感器---HMSR。
關(guān)鍵詞:

現(xiàn)代的功率變換系統(tǒng)與比前一代比,必須更高效、小巧和便宜。為此,全球電量傳感器領(lǐng)域的先導(dǎo)者瑞士萊姆公司利用多年的豐富經(jīng)驗(yàn)開(kāi)發(fā)了單芯片封裝的傳感器---HMSR。

傳統(tǒng)的電流測(cè)量方式是使用開(kāi)環(huán)霍爾效應(yīng)傳感器。電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)由磁芯聚磁,霍爾元件感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)測(cè)量。近來(lái),帶有高級(jí)補(bǔ)償技術(shù)的專用ASIC技術(shù)方案幫助提高了電流測(cè)量的總體精度。

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圖1 采用傳統(tǒng)的霍爾效應(yīng)芯片或?qū)S肁SIC的開(kāi)環(huán)技術(shù)原理

萊姆在十年前率先在LTSR產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)了傳感器小型化。當(dāng)時(shí),為了確保性能優(yōu)勢(shì)的最好方法是采用閉環(huán)霍爾效應(yīng)技術(shù),萊姆設(shè)計(jì)了定制化閉環(huán)ASIC。隨著ASIC技術(shù)的發(fā)展,霍爾開(kāi)環(huán)傳感器也有了專用的ASIC,使得開(kāi)環(huán)傳感器的性能接近閉環(huán)技術(shù)所能達(dá)到的水平。開(kāi)環(huán)ASIC技術(shù)不僅在體積小型化上更容易實(shí)現(xiàn),而且能滿足市場(chǎng)對(duì)成本優(yōu)勢(shì)的要求,同時(shí)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,功耗低。

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圖2 近十年來(lái)電流傳感器尺寸的變化

這十年來(lái),使用霍爾開(kāi)環(huán)ASIC技術(shù)的HLSR系列傳感器已經(jīng)在實(shí)際中得到了廣泛應(yīng)用,不僅在零點(diǎn)和漂移方面具有很好的表現(xiàn),而且還具有優(yōu)異的響應(yīng)時(shí)間,較小的封裝尺寸,只有幾個(gè)毫米的高度很適合PCB安裝。 

LEM利用多年積累的大量專業(yè)知識(shí)和設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),創(chuàng)造了HMSR,這是一種更先進(jìn)的電流傳感器,滿足了市場(chǎng)持續(xù)對(duì)降低成本、提高性能和微型化的需求。

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圖3 HMSR電流傳感器 

隨著這個(gè)新系列傳感器的出現(xiàn),LEM正在擴(kuò)展其它微型化的電流傳感器,用于交流和直流電流的隔離測(cè)量。新的HMSR產(chǎn)品,集成了原邊導(dǎo)體(功率損耗最小化)、一個(gè)微型磁芯和一個(gè)定制的ASIC,允許直接接入電流進(jìn)行測(cè)量,并且保證一定的絕緣性能。 

此新產(chǎn)品系列囊括了六個(gè)不同的額定電流等級(jí):6A、8A、10A、15A、20A和30A, 測(cè)量范圍可達(dá)額定電流的2.5倍,采用SOIC 16封裝。標(biāo)準(zhǔn)型的產(chǎn)品提供了不同靈敏度級(jí)別的模擬電壓輸出,其中5V供電電源版的對(duì)應(yīng)輸出電壓是800mV@IPN。 

HMSR設(shè)置兩個(gè)OCD(過(guò)流檢測(cè))功能,將控制回路與保護(hù)回路分離。分別設(shè)定兩個(gè)不同的引腳給兩個(gè)OCD, 一個(gè)為內(nèi)部OCD,過(guò)流限值設(shè)為2.93xIPN,另一個(gè)是外部OCD,過(guò)流限值可以根據(jù)實(shí)際情況由使用者調(diào)節(jié)。 

然而,HMSR傳感器不應(yīng)視為簡(jiǎn)單的開(kāi)環(huán)霍爾ASIC的傳感器。HMSR獨(dú)特的初級(jí)導(dǎo)體設(shè)計(jì),允許流過(guò)更大的過(guò)載電流,并且保持高水平的絕緣性能,這得益于內(nèi)部集成了磁性材料的磁路,這種結(jié)構(gòu)對(duì)電力電子應(yīng)用中存在的外部不均勻磁場(chǎng)具有良好的免疫力,使得HMSR能夠在高干擾的環(huán)境中使用。 

HMSR中加入的磁路也是提高帶寬的關(guān)鍵因素,帶寬可達(dá)270kHz(-3dB),同時(shí)起到對(duì)外磁場(chǎng)的良好抑制作用。 

這種專用的ASIC設(shè)計(jì)結(jié)合了旋轉(zhuǎn)和內(nèi)部溫度補(bǔ)償(EE-PROM)技術(shù),經(jīng)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證,改進(jìn)了增益和零點(diǎn)漂移。實(shí)現(xiàn)了-40°C到+125°C溫度范圍內(nèi)的高精度,額定電流時(shí)的精度典型值為0.5%(HMSR 20-SMS型號(hào))。在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,如太陽(yáng)能逆變器或驅(qū)動(dòng)器等,都要求高效率,這就要求控制回路必須精確。 

與上一代產(chǎn)品相比,HMSR極大地提高了整個(gè)溫度范圍內(nèi)的精度。下圖顯示了HMSR 20-SMS在整個(gè)溫度范圍內(nèi)(-40°C到+125°C)極其良好的線性度和總精度。

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圖4 HMSR20-SMS型號(hào)在-40°C到+125°C范圍內(nèi)的典型總體精度和線性度 

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圖5 HMSR響應(yīng)時(shí)間

然而,如果沒(méi)有快速的響應(yīng)時(shí)間做支撐,只有高精度依然美中不足。目前,快速I(mǎi)GBT,比如SiC,可以工作在更快的開(kāi)關(guān)頻率下–HMSR已經(jīng)通過(guò)實(shí)際測(cè)試,可滿足此類苛刻的要求,其響應(yīng)時(shí)間低于2μs(見(jiàn)圖5)。

 在多個(gè)應(yīng)用中,HMSR傳感器可以像SO16 SMD器件一樣直接安裝在電路板上,從而降低制造成本和節(jié)省空間。HMSR的高度僅6mm,在應(yīng)用中顯著節(jié)省了空間,可方便安裝在智能功率模塊(IPMs)所帶的散熱片下面(見(jiàn)下圖)。

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圖6 HMSR 與IPM的安裝圖例 

HMSR的另一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)是太陽(yáng)能領(lǐng)域的應(yīng)用。 

特別是最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT),它是太陽(yáng)能逆變系統(tǒng)中的一個(gè)重要環(huán)節(jié),跟蹤好了可以最大限度地利用光伏板(PV)產(chǎn)生的電能。它會(huì)根據(jù)溫度、陽(yáng)光和系統(tǒng)的總阻抗來(lái)調(diào)節(jié)電流和電壓。當(dāng)有微小擾動(dòng)信號(hào)注入時(shí)(利用擾動(dòng)觀測(cè)法),控制系統(tǒng)持續(xù)分析系統(tǒng)輸出。然后,MPPT分析產(chǎn)生的功率(通過(guò)監(jiān)測(cè)電壓和電流信號(hào)),并推導(dǎo)出要改變的參數(shù),以達(dá)到MPPT(最大功率點(diǎn))。MPPT通過(guò)改變脈寬調(diào)制(PWM)來(lái)得到DC/DC變換器的合適電壓。

 

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圖7 最大功率點(diǎn) 

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圖8 MPPT架構(gòu)

精度越高、噪音越低,MPPT的性能越好。利用萊姆先進(jìn)的ASIC,HMSR提供了非常精確和低噪聲的信號(hào),使系統(tǒng)運(yùn)行在最佳水平。 

更重要的是,組串電流的檢測(cè)使得多串間的比較,以及發(fā)現(xiàn)PV板接線錯(cuò)誤、污垢和由樹(shù)木產(chǎn)生的陰影等異常成為可能。因此,HMSR的卓越精度可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)多個(gè)組串間的比較。 

另外,MPPT中的DC/DC變換器采用高頻調(diào)節(jié)(大約80kHz),容易產(chǎn)生較高的dV/dt,對(duì)電子元器件有害。由于其堅(jiān)固的設(shè)計(jì),使得HMSR在這樣的噪聲環(huán)境中有很顯著的抵抗能力,這種能力用dV/dt測(cè)試很容易得到驗(yàn)證。 

下圖顯示了HMSR 20-SMS在+/-1000V的dV/dt脈沖電壓測(cè)試中的表現(xiàn),擾動(dòng)很低,產(chǎn)生的誤差僅為滿量程的3%,恢復(fù)時(shí)間為3.8μs。

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圖9 施加dV/dt以后,HMSR輸出產(chǎn)生的誤差 

HMSR帶有兩個(gè)OCD功能,用于逆變器中短路和過(guò)載時(shí)保護(hù)晶體管。這種檢測(cè)和保護(hù)功能在許多應(yīng)用中都很重要,如HVAC中的直流環(huán)節(jié)或電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。現(xiàn)代的變頻器(VFDs)都引入了電機(jī)過(guò)載算法,HMSR的OCD功能可以使檢測(cè)更容易,以防設(shè)備過(guò)熱。兩個(gè)OCD功能的設(shè)置可以分別監(jiān)測(cè)過(guò)載和短路。 

當(dāng)然,在選擇IC封裝的電流傳感器時(shí),絕緣是必須考慮的因素。例如,在太陽(yáng)能應(yīng)用中,通常通過(guò)提高直流電壓來(lái)增加DC/AC的轉(zhuǎn)換效率,有時(shí)直流電壓要到1500V,以便提高DC/AC變換率,這勢(shì)必增加了對(duì)逆變器絕緣的要求。 

通過(guò)加大原副邊之間的距離來(lái)增強(qiáng)原邊母排與IC部分的隔離,使得HMSR的絕緣電壓可以到4.95kVRMS(交流50Hz、1分鐘絕緣測(cè)試電壓),所有產(chǎn)品在出廠前100%通過(guò)絕緣檢測(cè)。HMSR的特殊管腳設(shè)計(jì)保證了PCB板上的爬電距離和電氣間隙為8mm。

按照IEC 62109-1(用于光伏發(fā)電系統(tǒng)的功率變換器的安全)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,如果降低爬電距離就需要較高的相對(duì)漏電起痕指數(shù)(CTI)。HMSR的CTI>600,爬電距離8mm,那么HMSR的工作電壓可以到1600V,意味HMSR非常適合這種絕緣要求高的應(yīng)用。 

太陽(yáng)能應(yīng)用中還有另一個(gè)關(guān)鍵要求,設(shè)備需要耐受20kA的浪涌電流,以提供有效的雷電保護(hù)。HMSR直接安在裝組串回路中,需要能承受這么大的雷擊電流而不損壞。事實(shí)上,HMSR在設(shè)計(jì)上充分考慮到這個(gè)要求,并通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的8/20μs浪涌測(cè)試。如下圖所示。

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圖10 太陽(yáng)能應(yīng)用中典型的過(guò)流浪涌曲線圖 

為了方便客戶快速比較和測(cè)試新一代的傳感器,萊姆特意開(kāi)發(fā)了HMSR測(cè)試板,可以根據(jù)要求提供樣品。

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圖11 可用于采樣的HMSR測(cè)試板 

HMSR主要技術(shù)參數(shù) 

IPN

6..30A

IPM測(cè)量范圍)

15..75A

AC絕緣試驗(yàn)(50Hz1 分鐘)

4.95kV

沖擊耐受電壓

8kV

dCp/dCImm

8/8

工作溫度范圍

-40°C…+125°C

電源電壓

5V

響應(yīng)時(shí)間

2μs

帶寬

>270kHz

過(guò)流檢測(cè)

x2


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