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    步驟1 確定開關電源的基本參數
① 交流輸入電壓最小值umin
② 交流輸入電壓最大值umax
③ 電網頻率Fl  開關頻率f
④ 輸出電壓VO（V）：已知
⑤ 輸出功率PO（W）：已知
⑥ 電源效率η：一般取80％
⑦ 損耗分配系數Z：Z表示次級損耗與總損耗的比值，Z=0表示全部損耗發(fā)生在初級，Z=1表示發(fā)生在次級。一般取Z=0.5
步驟2 根據輸出要求，選擇反饋電路的類型以及反饋電壓VFB
步驟3 根據u，PO值確定輸入濾波電容CIN、直流輸入電壓最小值VImin
① 令整流橋的響應時間tc=3ms
② 根據u，查處CIN值
③ 得到Vimin
確定CIN,VImin值
u(V) PO(W) 比例系數(μF/W) CIN(μF) VImin(V)
固定輸入:100/115 已知 2~3 (2~3)×PO ≥90
通用輸入:85~265 已知 2~3 (2~3)×PO ≥90
固定輸入:230±35 已知 1 PO ≥240








步驟4 根據u，確定VOR、VB
① 根據u由表查出VOR、VB值
② 由VB值來選擇TVS
u(V) 初級感應電壓VOR(V) 鉗位二極管              反向擊穿電壓VB(V)

固定輸入:100/115 60 90
通用輸入:85~265 135 200
固定輸入:230±35 135 200







步驟5 根據Vimin和VOR來確定最大占空比Dmax

                
① 設定MOSFET的導通電壓VDS(ON)
② 應在u=umin時確定Dmax值，Dmax隨u升高而減小
步驟6 確定初級紋波電流IR與初級峰值電流IP的比值KRP，KRP=IR/IP
u(V) KRP
最小值(連續(xù)模式) 最大值(不連續(xù)模式)
固定輸入:100/115 0.4 1
通用輸入:85~265 0.4 1
固定輸入:230±35 0.6 1
步驟7 確定初級波形的參數
① 輸入電流的平均值IAVG

② 初級峰值電流IP

③ 初級脈動電流IR
④ 初級有效值電流IRMS

步驟8 根據電子數據表和所需IP值 選擇TOPSwitch芯片
① 考慮電流熱效應會使25℃下定義的極限電流降低10％，所選芯片的極限電流最小值ILIMIT(min)應滿足：0.9 ILIMIT(min)≥IP
步驟9和10 計算芯片結溫Tj
① 按下式結算：
Tj＝[I2RMS×RDS(ON)+1/2×CXT×(VImax+VOR) 2 f ]×Rθ＋25℃
式中CXT是漏極電路結點的等效電容，即高頻變壓器初級繞組分布電容
② 如果Tj＞100℃，應選功率較大的芯片
步驟11 驗算IP  IP=0.9ILIMIT(min)
① 輸入新的KRP且從最小值開始迭代，直到KRP=1
② 檢查IP值是否符合要求
③ 迭代KRP=1或IP=0.9ILIMIT(min)
  步驟12 計算高頻變壓器初級電感量LP，LP單位為μH
                
步驟13 選擇變壓器所使用的磁芯和骨架，查出以下參數：
① 磁芯有效橫截面積Sj（cm2），即有效磁通面積。
② 磁芯的有效磁路長度l（cm）
③ 磁芯在不留間隙時與匝數相關的等效電感AL(μH/匝2)
④ 骨架寬帶b（mm）
步驟14 為初級層數d和次級繞組匝數Ns賦值
① 開始時取d＝2（在整個迭代中使1≤d≤2）
② 取Ns=1(100V/115V交流輸入)，或Ns=0.6(220V或寬范圍交流輸入)
③ Ns=0.6×(VO+VF1)
④ 在使用公式計算時可能需要迭代
  步驟15 計算初級繞組匝數Np和反饋繞組匝數NF
① 設定輸出整流管正向壓降VF1
② 設定反饋電路整流管正向壓降VF2
③ 計算NP
                    
④ 計算NF
                    
  步驟16~步驟22 設定最大磁通密度BM、初級繞組電流密度J、磁芯的氣隙寬度δ，進行迭代。
① 設置安全邊距M，在230V交流輸入或寬范圍輸入時M=3mm，在110V/115V交流輸入時M=1.5mm。使用三重絕緣線時M=0
② 最大磁通密度BM=0.2～0.3T
          
   若BM＞0.3T，需增加磁芯的橫截面積或增加初級匝數NP，使BM在0.2~0.3T范圍之內。如BM＜0.2T，就應選擇尺寸較小的磁芯或減小NP值。
③ 磁芯氣隙寬度δ≥0.051mm
δ＝40πSJ(NP2/1000LP－1/1000AL)
        要求δ≥0.051mm，若小于此值，需增大磁芯尺寸或增加NP值。
④ 初級繞組的電流密度J=(4~10)A/mm2

若J＞10A/mm2，應選較粗的導線并配以較大尺寸的磁芯和骨架，使J＜10A/mm2。若J＜4A/mm2，宜選較細的導線和較小的磁芯骨架，使J＞4A/mm2；也可適當增加NP的匝數。
⑤ 確定初級繞組最小直徑（裸線）DPm(mm)
⑥ 確定初級繞組最大外徑（帶絕緣層）DPM(mm)
⑦ 根據初級層數d、骨架寬帶b和安全邊距M計算有效骨架寬帶be（mm）
                be=d(b－2M)
然后計算初級導線外徑（帶絕緣層）DPM：DPM＝be/NP
步驟23 確定次級參數ISP、ISRMS、IRI、DSM、DSm
① 次級峰值電流ISP(A)
ISP=IP×(NP/NS)
     ② 次級有效值電流ISRMS(A)
                      
     ③ 輸出濾波電容上的紋波電流IRI(A)
                
⑤ 次級導線最小直徑（裸線）DSm(mm)
                  
⑥ 次級導線最大外徑（帶絕緣層）DSM(mm)
                  
步驟24 確定V(BR)S、V(BR)FB
① 次級整流管最大反向峰值電壓V(BR)S
V(BR)S＝VO+VImax×NS/NP
② 反饋級整流管最大反向峰值電壓V(BR)FB
V(BR)FB＝VFB+ VImax×NF/NP
   步驟25 選擇鉗位二極管和阻塞二極管
步驟26 選擇輸出整流管
步驟27 利用步驟23得到的IRI,選擇輸出濾波電容COUT
① 濾波電容COUT在105℃、100KHZ時的紋波電流應≥IRI
② 要選擇等效串連電阻r0很低的電解電容
③ 為減少大電流輸出時的紋波電流IRI，可將幾只濾波電容并聯使用，以降低電容的r0值和等效電感L0
④ COUT的容量與最大輸出電流IOM有關
   步驟28～29 當輸出端的紋波電壓超過規(guī)定值時，應再增加一級LC濾波器
① 濾波電感L=2.2~4.7μH。當IOM＜1A時可采用非晶合金磁性材料制成的磁珠；大電流時應選用磁環(huán)繞制成的扼流圈。
② 為減小L上的壓降，宜選較大的濾波電感或增大線徑。通常L=3.3μH
③ 濾波電容C取120μF /35V，要求r0很小
     步驟30 選擇反饋電路中的整流管
    步驟31 選擇反饋濾波電容
             反饋濾波電容應取0.1μF /50V陶瓷電容器
     步驟32 選擇控制端電容及串連電阻
             控制端電容一般取47μF /10V，采用普通電解電容即可。與之相串連的電阻可選6.2Ω、1/4W，在不連續(xù)模式下可省掉此電阻。
      步驟33選定反饋電路
      步驟34選擇輸入整流橋
          ① 整流橋的反向擊穿電壓VBR≥1.25√2  umax
③ 設輸入有效值電流為IRMS，整流橋額定有效值電流為IBR,使IBR≥2IRMS。計算IRMS公式如下：
                            
   cosθ為開關電源功率因數，一般為0.5～0.7，可取cosθ＝0.5
  步驟35 設計完畢
在所有的相關參數中，只有3個參數需要在設計過程中進行檢查并核對是否在允許的范圍之內。它們是最大磁通密度BM（要求BM=0.2T~0.3T）、磁芯的氣隙寬度δ（要求δ≥0.051mm）、初級電流密度J（規(guī)定J=4～10A/mm2）。這3個參數在設計的每一步都要檢查，確保其在允許的范圍之內。