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在某些情況下，ESD（靜電放電）事件會毀壞數(shù)字電路，造成閂鎖效應。例如，受到 ESD 觸發(fā)時，通常構成 CMOS 器件中一部分的寄生晶體管會表現(xiàn)為一個 SCR（可控硅整流器）。一旦 ESD 觸發(fā)， SCR 會在 CMOS 器件的兩部分之間形成一個低阻通道，并嚴重導電。除非立即切斷電路的電源，否則器件就會被損壞。人體交互產(chǎn)生的 ESD 是手機和醫(yī)療設備中遇到的大問題。為了有足夠的 ESD 防護，多數(shù)醫(yī)療設備和工業(yè)設備都需要為 ESD 電流設置一個接地回路。而在實際生活中，移動設備可以對付沒有合適的電源接地引出線的使用環(huán)境。
為了在沒有 ESD接地的情況下也能防止昂貴的設備遭受閂鎖故障，可以增加一個如圖顯示的電源斷路電路，防止由ESD引起的閂鎖而造成的損害。正常情況下，易受ESD影響的器件所吸收的電流會在電阻器R6上產(chǎn)生一個小壓降。R4和R5構成的電壓分壓器規(guī)定了一個光隔離器IC1 LED端口的復位電流閾值，在正常工作電流消耗下，LED是不亮的。
IC1的輸出控制著加在MOSFET Q1上的柵極偏置，Q1通常是導通的。當出現(xiàn)閂鎖時，電源電流會快速增大一至多個數(shù)量級。R6上產(chǎn)生的高電壓降正向偏置IC1的LED ，于是 IC1的光電晶體管導通，從而關斷Q1，直流電源向受 ESD 影響器件的供電被中斷數(shù)毫秒。另外，系統(tǒng)的固件設計必須能夠達到允許從電源中斷狀態(tài)自動恢復。
圖1 系統(tǒng)原理圖
下式描述了復位電流閾值與R4和R5值之間的關系：
(R4+R5)/R4=(IT×R6)/VLED，其中：IT≥(VLED)/R6，而 VCC>VLED。
由ESD導致的故障閾值電流IT大于或等于光隔離LED的正向導通壓降除以檢測電阻器 R6的值。另外，原電源電壓必須大于LED的正向壓降。電阻器R1為IC1的基極泄漏電流提供了一個路徑，電阻器R3和R2則決定了Q1的柵極關斷偏壓。
圖1中，光隔離器的LED正向壓降為1.2V。針對圖中顯示的元件值，當ESD造成的電源電流超過約300mA時，電路短暫中斷VCC。
北京市公安局海淀分局備案號：11010802023656號